Pusvadītāju elektroniskās sastāvdaļas TPS7A5201QRGRRQ1 Ic mikroshēmas BOM serviss, pirkums vienā vietā

Pārskats par čipsiem

(i) Kas ir mikroshēma

Integrētā shēma, saīsināti kā IC;vai mikroshēma, mikroshēma, mikroshēma ir veids, kā miniaturizēt shēmas (galvenokārt pusvadītāju ierīces, bet arī pasīvās sastāvdaļas utt.) elektronikā, un to bieži ražo uz pusvadītāju plāksnīšu virsmas.

ii) skaidu ražošanas process

Pilns mikroshēmu izgatavošanas process ietver mikroshēmu projektēšanu, vafeļu izgatavošanu, iepakojuma izgatavošanu un testēšanu, tostarp vafeļu izgatavošanas process ir īpaši sarežģīts.

Pirmkārt, ir mikroshēmas dizains, saskaņā ar dizaina prasībām ģenerētais "raksts", mikroshēmas izejviela ir vafele.

Vafele ir izgatavota no silīcija, kas ir attīrīta no kvarca smiltīm.Vafele tiek attīrīta no silīcija elementa (99,999%), pēc tam no tīrā silīcija tiek izgatavoti silīcija stieņi, kas kļūst par materiālu integrālo shēmu kvarca pusvadītāju ražošanai, kas tiek sagriezti plāksnēs mikroshēmu ražošanai.Jo plānāka vafele, jo zemākas ražošanas izmaksas, bet prasīgāks process.

Vafeļu pārklājums

Vafeļu pārklājums ir izturīgs pret oksidāciju un temperatūras izturību un ir fotorezista veids.

Vafeļu fotolitogrāfijas izstrāde un kodināšana

Fotolitogrāfijas procesa pamatplūsma ir parādīta zemāk esošajā diagrammā.Vispirms uz vafeles (vai substrāta) virsmas tiek uzklāts fotorezista slānis un žāvēts.Pēc žāvēšanas vafele tiek pārnesta uz litogrāfijas iekārtu.Gaisma tiek izlaista caur masku, lai projicētu maskas zīmējumu uz fotorezista plāksnītes virsmas, tādējādi nodrošinot ekspozīciju un stimulējot fotoķīmisko reakciju.Atklātās vafeles pēc tam tiek ceptas otro reizi, ko sauc par cepšanu pēc ekspozīcijas, kur fotoķīmiskā reakcija ir pilnīgāka.Visbeidzot, attīstītājs tiek izsmidzināts uz fotorezista uz vafeles virsmas, lai izveidotu eksponēto rakstu.Pēc izstrādes zīmējums uz maskas tiek atstāts uz fotorezista.

Līmēšana, cepšana un attīstīšana tiek veikta klona izstrādātājā, un ekspozīcija tiek veikta fotolitogrāfijā.Glējuma izstrādātājs un litogrāfijas iekārta parasti tiek darbinātas vienā rindā, vafeles tiek pārvietotas starp vienībām un iekārtu, izmantojot robotu.Visa ekspozīcijas un izstrādes sistēma ir slēgta un vafeles netiek tieši pakļautas apkārtējai videi, lai samazinātu apkārtējā vidē esošo kaitīgo komponentu ietekmi uz fotorezistu un fotoķīmiskajām reakcijām.

Dopings ar piemaisījumiem

Jonu implantēšana plāksnē, lai iegūtu atbilstošos P un N tipa pusvadītājus.

Vafeļu pārbaude

Pēc iepriekšminētajiem procesiem uz vafeles veidojas kauliņu režģis.Katras formas elektriskos raksturlielumus pārbauda, ​​izmantojot tapas testu.

Iepakojums

Izgatavotās vafeles tiek fiksētas, piesietas pie tapām un izgatavotas dažādos iepakojumos atbilstoši prasībām, tāpēc vienu un to pašu mikroshēmas serdi var iepakot dažādos veidos.Piemēram, DIP, QFP, PLCC, QFN un tā tālāk.Šeit to galvenokārt nosaka lietotāja lietošanas paradumi, lietojumprogrammu vide, tirgus formāts un citi perifērie faktori.

Testēšana, iepakošana

Pēc iepriekš minētā procesa mikroshēmu ražošana ir pabeigta.Šis solis ir pārbaudīt mikroshēmu, noņemt bojātos produktus un iepakot to.

Attiecības starp vafelēm un čipsiem

Mikroshēmu veido vairāk nekā viena pusvadītāju ierīce.Pusvadītāji parasti ir diodes, triodes, lauka efektu lampas, mazi jaudas rezistori, induktori, kondensatori utt.

Tā ir tehnisku līdzekļu izmantošana, lai mainītu brīvo elektronu koncentrāciju atoma kodolā apļveida iedobē, lai mainītu atoma kodola fizikālās īpašības, lai radītu pozitīvu vai negatīvu daudzu (elektronu) vai dažu (caurumu) lādiņu. veido dažādus pusvadītājus.

Silīcijs un germānija ir plaši izmantoti pusvadītāju materiāli, un to īpašības un materiāli ir viegli pieejami lielos daudzumos un par zemām izmaksām izmantošanai šajās tehnoloģijās.

Silīcija plāksne sastāv no liela skaita pusvadītāju ierīču.Pusvadītāja funkcija, protams, ir izveidot ķēdi pēc vajadzības un eksistēt silīcija plāksnē.