Jauna oriģinālā integrālā shēma BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC mikroshēma
BSZ040N06LS5
Infineon OptiMOS™ 5 jaudas MOSFET loģiskais līmenis ir ļoti piemērots bezvadu uzlādei, adapteriem un telekomunikāciju lietojumprogrammām.Ierīču zemais lādiņš (Q g) samazina pārslēgšanas zudumus, neapdraudot vadītspējas zudumus.Uzlabotie ieguvumu rādītāji ļauj veikt darbības ar augstām komutācijas frekvencēm.Turklāt loģiskā līmeņa piedziņa nodrošina zemus vārtu sliekšņusturēšanas spriegums (V GS(th)), ļaujot MOSFET darbināt ar 5 V un tieši no mikrokontrolleriem.
Iezīmju kopsavilkums
Zems R DS(ieslēgts) mazā iepakojumā
Zema vārtu maksa
Zemāks izvades uzlādes līmenis
Loģiskā līmeņa saderība
Ieguvumi
Augstāka jaudas blīvuma konstrukcijas
Augstāka pārslēgšanas frekvence
Samazināts detaļu skaits visur, kur ir pieejams 5V barošanas avots
Tiek darbināts tieši no mikrokontrolleriem (lēna pārslēgšanās)
Sistēmas izmaksu samazināšana
Parametri
| Parametri | BSZ040N06LS5 |
| Budžeta cena €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) maks | 101 A |
| IDpulss maks | 404 A |
| Montāža | SMD |
| Darba temperatūra min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot maks | 69 W |
| Iepakojums | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Pin skaits | 8 piespraudes |
| Polaritāte | N |
| QG (tips @4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (ieslēgts) (@4,5V LL) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (ieslēgts) (@4,5V) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (ieslēgts) (@10V) maks | 4 mΩ |
| Rth maks | 1,8 K/W |
| RthJA maks | 62 K/W |
| RthJC maks | 1,8 K/W |
| VDS maks | 60 V |
| VGS(th) min maks | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
