order_bg

produktiem

IPD068P03L3G jauns oriģināls elektronisko komponentu IC mikroshēmas MCU BOM pakalpojums noliktavā IPD068P03L3G

Īss apraksts:


Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta atribūti

VEIDS APRAKSTS
Kategorija Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi

Tranzistori - FET, MOSFET - viens

Mfr Infineon Technologies
sērija OptiMOS™
Iepakojums Lente un spole (TR)

Pārgriezta lente (CT)

Digi-Reel®

Produkta statuss Aktīvs
FET tips P-kanāls
Tehnoloģija MOSFET (metāla oksīds)
Iztukšošanas līdz avota spriegums (Vdss) 30 V
Strāva – nepārtraukta aizplūšana (Id) pie 25°C 70A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais Rds ieslēgts, Minimālais Rds ieslēgts) 4,5 V, 10 V
Rds ieslēgts (maks.) @ Id, Vgs 6,8 mOhm pie 70 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V pie 150µA
Vārtu uzlāde (Qg) (maks.) @ Vgs 91 nC pie 10 V
Vgs (maks.) ±20V
Ievades kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF pie 15 V
FET funkcija -
Jaudas izkliede (maks.) 100 W (Tc)
Darbības temperatūra -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas veids Virsmas stiprinājums
Piegādātāja ierīču pakete PG-TO252-3
Iepakojums / futrālis TO-252-3, DPak (2 vadi + cilne), SC-63
Pamatprodukta numurs IPD068

Dokumenti un mediji

RESURSA VEIDS SAITE
Datu lapas IPD068P03L3 G
Citi saistītie dokumenti Daļas numura rokasgrāmata
Piedāvātais produkts Datu apstrādes sistēmas
HTML datu lapa IPD068P03L3 G
EDA modeļi Ultra Librarian IPD068P03L3GATMA1

Vides un eksporta klasifikācijas

ATTRIBŪTS APRAKSTS
RoHS statuss Saderīgs ar ROHS3
Mitruma jutības līmenis (MSL) 1 (neierobežots)
REACH statuss REACH Neietekmē
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Papildu resursi

ATTRIBŪTS APRAKSTS
Citi vārdi IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standarta pakotne 2500

Tranzistors

Tranzistors ir apusvadītāju ierīcepieradušipaplašinātvaislēdziselektriskie signāli unjauda.Tranzistors ir viens no mūsdienu pamatelementiemelektronika.[1]Tas sastāv nopusvadītāju materiāls, parasti ar vismaz trimtermināļisavienošanai ar elektronisko shēmu.Aspriegumsvaistrāvatiek pielietots vienam tranzistora spaiļu pārim, kontrolē strāvu caur citu spaiļu pāri.Tā kā kontrolētā (izejas) jauda var būt lielāka par vadības (ieejas) jaudu, tranzistors var pastiprināt signālu.Daži tranzistori ir iepakoti atsevišķi, bet daudzi citi ir iegultiintegrālās shēmas.

Austroungārijas fiziķis Jūlijs Edgars Lilienfeldsierosināja a jēdzienulauka efekta tranzistors1926. gadā, taču tajā laikā nebija iespējams reāli uzbūvēt strādājošu ierīci.[2]Pirmā darba iekārta, kas tika uzbūvēta, bija apunkta kontakta tranzistors1947. gadā izgudroja amerikāņu fiziķiDžons BārdīnsunValters Brateinsstrādājot zemViljams ŠoklijsplkstBell Labs.Viņi trīs dalījās 1956. gadāNobela prēmija fizikāpar viņu sasniegumiem.[3]Visplašāk izmantotais tranzistoru veids irmetāla–oksīda–pusvadītāju lauka efekta tranzistors(MOSFET), ko izgudrojaMuhameds AtallaunDavons KānsBell Labs 1959. gadā.[4][5][6]Tranzistori radīja revolūciju elektronikas jomā un pavēra ceļu mazākiem un lētākiemradioaparāti,kalkulatori, undatori, cita starpā.

Lielākā daļa tranzistoru ir izgatavoti no ļoti tīrasilīcijs, un daži nogermānija, bet dažkārt tiek izmantoti daži citi pusvadītāju materiāli.Tranzistoram var būt tikai viena veida lādiņnesējs, lauka efekta tranzistorā, vai var būt divu veidu lādiņnesējibipolārā savienojuma tranzistorsierīces.Salīdzinot arvakuuma caurule, tranzistori parasti ir mazāki un to darbībai ir nepieciešama mazāka jauda.Dažām vakuumlampām ir priekšrocības salīdzinājumā ar tranzistoriem ar ļoti augstām darba frekvencēm vai augstu darba spriegumu.Daudzu veidu tranzistori ir izgatavoti pēc vairāku ražotāju standartizētām specifikācijām.


  • Iepriekšējais:
  • Nākamais:

  • Uzrakstiet savu ziņu šeit un nosūtiet to mums