IPD068P03L3G jauns oriģināls elektronisko komponentu IC mikroshēmas MCU BOM pakalpojums noliktavā IPD068P03L3G

Īss apraksts:

Nosūtiet mums e-pastu Lejupielādēt datu lapu

Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta atribūti

VEIDS	APRAKSTS
Kategorija	Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi Tranzistori - FET, MOSFET - viens
Mfr	Infineon Technologies
sērija	OptiMOS™
Iepakojums	Lente un spole (TR) Pārgriezta lente (CT) Digi-Reel®
Produkta statuss	Aktīvs
FET tips	P-kanāls
Tehnoloģija	MOSFET (metāla oksīds)
Iztukšošanas līdz avota spriegums (Vdss)	30 V
Strāva – nepārtraukta aizplūšana (Id) pie 25°C	70A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais Rds ieslēgts, Minimālais Rds ieslēgts)	4,5 V, 10 V
Rds ieslēgts (maks.) @ Id, Vgs	6,8 mOhm pie 70 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V pie 150µA
Vārtu uzlāde (Qg) (maks.) @ Vgs	91 nC pie 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Ievades kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds	7720 pF pie 15 V
FET funkcija	-
Jaudas izkliede (maks.)	100 W (Tc)
Darbības temperatūra	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas veids	Virsmas stiprinājums
Piegādātāja ierīču pakete	PG-TO252-3
Iepakojums / futrālis	TO-252-3, DPak (2 vadi + cilne), SC-63
Pamatprodukta numurs	IPD068

Dokumenti un mediji

RESURSA VEIDS	SAITE
Datu lapas	IPD068P03L3 G
Citi saistītie dokumenti	Daļas numura rokasgrāmata
Piedāvātais produkts	Datu apstrādes sistēmas
HTML datu lapa	IPD068P03L3 G
EDA modeļi	Ultra Librarian IPD068P03L3GATMA1

Vides un eksporta klasifikācijas

ATTRIBŪTS	APRAKSTS
RoHS statuss	Saderīgs ar ROHS3
Mitruma jutības līmenis (MSL)	1 (neierobežots)
REACH statuss	REACH Neietekmē
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Papildu resursi

ATTRIBŪTS

APRAKSTS

Citi vārdi

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standarta pakotne

2500

Tranzistors

Tranzistors ir apusvadītāju ierīcepieradušipaplašinātvaislēdziselektriskie signāli unjauda.Tranzistors ir viens no mūsdienu pamatelementiemelektronika.[1]Tas sastāv nopusvadītāju materiāls, parasti ar vismaz trimtermināļisavienošanai ar elektronisko shēmu.Aspriegumsvaistrāvatiek pielietots vienam tranzistora spaiļu pārim, kontrolē strāvu caur citu spaiļu pāri.Tā kā kontrolētā (izejas) jauda var būt lielāka par vadības (ieejas) jaudu, tranzistors var pastiprināt signālu.Daži tranzistori ir iepakoti atsevišķi, bet daudzi citi ir iegultiintegrālās shēmas.

Austroungārijas fiziķis Jūlijs Edgars Lilienfeldsierosināja a jēdzienulauka efekta tranzistors1926. gadā, taču tajā laikā nebija iespējams reāli uzbūvēt strādājošu ierīci.[2]Pirmā darba iekārta, kas tika uzbūvēta, bija apunkta kontakta tranzistors1947. gadā izgudroja amerikāņu fiziķiDžons BārdīnsunValters Brateinsstrādājot zemViljams ŠoklijsplkstBell Labs.Viņi trīs dalījās 1956. gadāNobela prēmija fizikāpar viņu sasniegumiem.[3]Visplašāk izmantotais tranzistoru veids irmetāla–oksīda–pusvadītāju lauka efekta tranzistors(MOSFET), ko izgudrojaMuhameds AtallaunDavons KānsBell Labs 1959. gadā.[4][5][6]Tranzistori radīja revolūciju elektronikas jomā un pavēra ceļu mazākiem un lētākiemradioaparāti,kalkulatori, undatori, cita starpā.

Lielākā daļa tranzistoru ir izgatavoti no ļoti tīrasilīcijs, un daži nogermānija, bet dažkārt tiek izmantoti daži citi pusvadītāju materiāli.Tranzistoram var būt tikai viena veida lādiņnesējs, lauka efekta tranzistorā, vai var būt divu veidu lādiņnesējibipolārā savienojuma tranzistorsierīces.Salīdzinot arvakuuma caurule, tranzistori parasti ir mazāki un to darbībai ir nepieciešama mazāka jauda.Dažām vakuumlampām ir priekšrocības salīdzinājumā ar tranzistoriem ar ļoti augstām darba frekvencēm vai augstu darba spriegumu.Daudzu veidu tranzistori ir izgatavoti pēc vairāku ražotāju standartizētām specifikācijām.

Iepriekšējais: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC mikroshēma jauna elektroniska sastāvdaļa

Nākamais: AQX IRF7416TRPBF Jauna un oriģināla integrētā shēmas ic mikroshēma IRF7416TRPBF

Uzrakstiet savu ziņu šeit un nosūtiet to mums