order_bg

produktiem

AQX IRF7416TRPBF Jauna un oriģināla integrētā shēmas ic mikroshēma IRF7416TRPBF

Īss apraksts:


Produkta informācija

Produktu etiķetes

Produkta atribūti

VEIDS APRAKSTS
Kategorija Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi

Tranzistori - FET, MOSFET - viens

Mfr Infineon Technologies
sērija HEXFET®
Iepakojums Lente un spole (TR)

Pārgriezta lente (CT)

Digi-Reel®

Produkta statuss Aktīvs
FET tips P-kanāls
Tehnoloģija MOSFET (metāla oksīds)
Iztukšošanas līdz avota spriegums (Vdss) 30 V
Strāva – nepārtraukta aizplūšana (Id) pie 25°C 10A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais Rds ieslēgts, Minimālais Rds ieslēgts) 4,5 V, 10 V
Rds ieslēgts (maks.) @ Id, Vgs 20 mOhm pie 5,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V pie 250µA
Vārtu uzlāde (Qg) (maks.) @ Vgs 92 nC pie 10 V
Vgs (maks.) ±20V
Ievades kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF pie 25 V
FET funkcija -
Jaudas izkliede (maks.) 2,5 W (Ta)
Darbības temperatūra -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas veids Virsmas stiprinājums
Piegādātāja ierīču pakete 8-SO
Iepakojums / futrālis 8-SOIC (0,154 collas, platums 3,90 mm)
Pamatprodukta numurs IRF7416

Dokumenti un mediji

RESURSA VEIDS SAITE
Datu lapas IRF7416PbF
Citi saistītie dokumenti IR detaļu numerācijas sistēma
Produktu apmācības moduļi Augstsprieguma integrālās shēmas (HVIC vārtu draiveri)

Diskrētās jaudas MOSFET 40 V un mazāk

Piedāvātais produkts Datu apstrādes sistēmas
HTML datu lapa IRF7416PbF
EDA modeļi Ultra bibliotekāra IRF7416TRPBF
Simulācijas modeļi IRF7416PBF Saber modelis

Vides un eksporta klasifikācijas

ATTRIBŪTS APRAKSTS
RoHS statuss Saderīgs ar ROHS3
Mitruma jutības līmenis (MSL) 1 (neierobežots)
REACH statuss REACH Neietekmē
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Papildu resursi

ATTRIBŪTS APRAKSTS
Citi vārdi IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Standarta pakotne 4000

IRF7416

Ieguvumi
Plakano šūnu struktūra plašam SOA
Optimizēta visplašākajai pieejamībai no izplatīšanas partneriem
Produkta kvalifikācija atbilstoši JEDEC standartam
Silīcijs optimizēts lietojumprogrammām, kas pārslēdzas zem <100KHz
Nozares standarta virsmas montāžas barošanas bloks
Iespējams pielodēt ar viļņiem
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET SO-8 iepakojumā
Ieguvumi
Saderīgs ar RoHS
Zems RDS (ieslēgts)
Nozarē vadošā kvalitāte
Dinamiskais dv/dt vērtējums
Ātra pārslēgšana
Pilnībā Avalanche Rated
175°C Darba temperatūra
P-kanāla MOSFET

Tranzistors

Tranzistors ir apusvadītāju ierīcepieradušipaplašinātvaislēdziselektriskie signāli unjauda.Tranzistors ir viens no mūsdienu pamatelementiemelektronika.[1]Tas sastāv nopusvadītāju materiāls, parasti ar vismaz trimtermināļisavienošanai ar elektronisko shēmu.Aspriegumsvaistrāvatiek pielietots vienam tranzistora spaiļu pārim, kontrolē strāvu caur citu spaiļu pāri.Tā kā kontrolētā (izejas) jauda var būt lielāka par vadības (ieejas) jaudu, tranzistors var pastiprināt signālu.Daži tranzistori ir iepakoti atsevišķi, bet daudzi citi ir iegultiintegrālās shēmas.

Austroungārijas fiziķis Jūlijs Edgars Lilienfeldsierosināja a jēdzienulauka efekta tranzistors1926. gadā, taču tajā laikā nebija iespējams reāli uzbūvēt strādājošu ierīci.[2]Pirmā darba iekārta, kas tika uzbūvēta, bija apunkta kontakta tranzistors1947. gadā izgudroja amerikāņu fiziķiDžons BārdīnsunValters Brateinsstrādājot zemViljams ŠoklijsplkstBell Labs.Viņi trīs dalījās 1956. gadāNobela prēmija fizikāpar viņu sasniegumiem.[3]Visplašāk izmantotais tranzistoru veids irmetāla–oksīda–pusvadītāju lauka efekta tranzistors(MOSFET), ko izgudrojaMuhameds AtallaunDavons KānsBell Labs 1959. gadā.[4][5][6]Tranzistori radīja revolūciju elektronikas jomā un pavēra ceļu mazākiem un lētākiemradioaparāti,kalkulatori, undatori, cita starpā.

Lielākā daļa tranzistoru ir izgatavoti no ļoti tīrasilīcijs, un daži nogermānija, bet dažkārt tiek izmantoti daži citi pusvadītāju materiāli.Tranzistoram var būt tikai viena veida lādiņnesējs, lauka efekta tranzistorā, vai var būt divu veidu lādiņnesējibipolārā savienojuma tranzistorsierīces.Salīdzinot arvakuuma caurule, tranzistori parasti ir mazāki un to darbībai ir nepieciešama mazāka jauda.Dažām vakuumlampām ir priekšrocības salīdzinājumā ar tranzistoriem ar ļoti augstām darba frekvencēm vai augstu darba spriegumu.Daudzu veidu tranzistori ir izgatavoti pēc vairāku ražotāju standartizētām specifikācijām.


  • Iepriekšējais:
  • Nākamais:

  • Uzrakstiet savu ziņu šeit un nosūtiet to mums