3. paaudzes pusvadītāju forums 2022 notiks Sudžou 28. decembrī!
Pusvadītāju CMP materiāliun Targets Symposium 2022 notiks Sudžou 29. decembrī!
Saskaņā ar McLaren oficiālo vietni, viņi nesen pievienoja OEM klientu, amerikāņu hibrīda sporta automobiļu zīmolu Czinger, un nodrošinās nākamās paaudzes IPG5 800V silīcija karbīda invertoru klienta 21C superauto, kura piegādi paredzēts sākt nākamgad.
Saskaņā ar ziņojumu, Czinger hibrīda sporta auto 21C tiks aprīkots ar trim IPG5 invertoriem, un maksimālā jauda sasniegs 1250 zirgspēkus (932 kW).
Mazāk nekā 1500 kilogramu smags sporta auto, papildus silīcija karbīda elektriskajai piedziņai, tiks aprīkots ar 2,9 litru V8 dzinēju ar dubultu turbokompresoru, kas griežas virs 11 000 apgr./min un paātrinās no 0 līdz 250 mph 27 sekundēs.
7. decembrī Dana oficiālā vietne paziņoja, ka viņi ir parakstījuši ilgtermiņa piegādes līgumu ar SEMIKRON Danfoss, lai nodrošinātu silīcija karbīda pusvadītāju ražošanas jaudu.
Tiek ziņots, ka Dana izmantos SEMIKRON eMPack silīcija karbīda moduli un ir izstrādājusi vidēja un augsta sprieguma invertorus.
Šā gada 18. februārī SEMIKRON oficiālajā tīmekļa vietnē tika teikts, ka viņi ir parakstījuši līgumu ar Vācijas autoražotāju par 10+ miljardu eiro (vairāk nekā 10 miljardu juaņu) silīcija karbīda invertoru.
SEMIKRON tika dibināts 1951. gadā kā Vācijas jaudas moduļu un sistēmu ražotājs.Tiek ziņots, ka šoreiz Vācijas autobūves kompānija pasūtīja SEMIKRON jauno jaudas moduļu platformu eMPack®.eMPack® jaudas moduļa platforma ir optimizēta silīcija karbīda tehnoloģijai, un tajā tiek izmantota pilnībā saķepināta “tiešā spiediena veidņu” (DPD) tehnoloģija, un liela apjoma ražošanu plānots sākt 2025. gadā.
Dana ir iekļautair amerikāņu automobiļu Tier1 piegādātājs, kas dibināts 1904. gadā un kura galvenā mītne atrodas Maumē, Ohaio štatā, un 2021. gadā pārdošanas apjoms bija 8,9 miljardi USD.
2019. gada 9. decembrī Dana prezentēja savu SiC invertoruTM4, kas spēj nodrošināt vairāk nekā 800 voltu spriegumu vieglajām automašīnām un 900 voltus sacīkšu automašīnām.Turklāt invertora jaudas blīvums ir 195 kilovati uz litru, kas ir gandrīz divas reizes vairāk nekā ASV Enerģētikas departamenta 2025. gada mērķis.
Attiecībā uz parakstīšanu Dana CTO Christophe Dominiak sacīja: Mūsu elektrifikācijas programma aug, mums ir liels pasūtījumu apjoms (350 miljoni USD 2021. gadā), un invertori ir ļoti svarīgi.Šis daudzgadu piegādes līgums ar Semichondanfoss sniedz mums stratēģiskas priekšrocības, nodrošinot piekļuvi SIC pusvadītājiem.
Trešās paaudzes pusvadītāji, ko pārstāv silīcija karbīds un gallija nitrīds, ir galvenie materiāli jaunajām stratēģiskajām nozarēm, piemēram, nākamās paaudzes sakari, jauni enerģijas transportlīdzekļi un ātrgaitas vilcieni, kā galvenie punkti “14. piecu gadu plānā. ” un ilgtermiņa mērķu izklāstu 2035. gadam.
Silīcija karbīda 6 collu vafeļu ražošanas jauda ir straujas paplašināšanās periodā, savukārt vadošie ražotāji, kurus pārstāv Wolfspeed un STMicroelectronics, ir sasnieguši 8 collu silīcija karbīda vafeļu ražošanu.Vietējie ražotāji, piemēram, Sanan, Shandong Tianyue, Tianke Heda un citi ražotāji galvenokārt koncentrējas uz 6 collu vafelēm, ar vairāk nekā 20 saistītiem projektiem un investīcijām vairāk nekā 30 miljardu juaņu apmērā;Arī pašmāju 8 collu vafeļu tehnoloģiju sasniegumi tuvojas.Pateicoties elektrisko transportlīdzekļu un uzlādes infrastruktūras attīstībai, sagaidāms, ka silīcija karbīda ierīču tirgus pieauguma temps no 2022. līdz 2025. gadam sasniegs 30 %. Substrāti arī turpmākajos gados būs galvenais silīcija karbīda ierīču jaudu ierobežojošais faktors.
GaN ierīces pašlaik galvenokārt virza ātrās uzlādes enerģijas tirgus un 5G makro bāzes staciju un milimetru viļņu mazo šūnu RF tirgi.GaN RF tirgu galvenokārt aizņem Macom, Intel utt., un elektroenerģijas tirgū ietilpst Infineon, Transphorm un tā tālāk.Pēdējos gados vietējie uzņēmumi, piemēram, Sanan, Innosec, Haiwei Huaxin uc, arī aktīvi izvieto gallija nitrīda projektus.Turklāt gallija nitrīda lāzera ierīces ir strauji attīstījušās.GaN pusvadītāju lāzeri tiek izmantoti litogrāfijā, glabāšanā, militārajā, medicīnas un citās jomās, un ikgadējie sūtījumi ir aptuveni 300 miljoni vienību un nesenie pieauguma tempi ir 20%, un paredzams, ka kopējais tirgus 2026. gadā sasniegs 1,5 miljardus ASV dolāru.
Trešās paaudzes pusvadītāju forums notiks 2022. gada 28. decembrī. Konferencē piedalījās vairāki vadošie uzņēmumi gan mājās, gan ārvalstīs, koncentrējoties uz silīcija karbīda un gallija nitrīda rūpnieciskajām ķēdēm.Jaunākā substrāta, epitaksijas, ierīču apstrādes tehnoloģija un ražošanas tehnoloģija;Tiek prognozēts progresīvas platjoslas pusvadītāju tehnoloģiju, piemēram, gallija oksīda, alumīnija nitrīda, dimanta un cinka oksīda, pētniecības progress.
Sanāksmes tēma
1. ASV mikroshēmu aizlieguma ietekme uz Ķīnas trešās paaudzes pusvadītāju izstrādi
2. Pasaules un Ķīnas trešās paaudzes pusvadītāju tirgus un nozares attīstības statuss
3. Vafeļu jaudas piedāvājums un pieprasījums un trešās paaudzes pusvadītāju tirgus iespējas
4. Investīciju un tirgus pieprasījuma perspektīva 6 collu SiC projektiem
5. Status quo un SiC PVT augšanas tehnoloģijas un šķidrās fāzes metodes attīstība
6. 8 collu SiC lokalizācijas process un tehnoloģiskais sasniegums
7. SiC tirgus un tehnoloģiju attīstības problēmas un risinājumi
8. GaN RF ierīču un moduļu pielietojums 5G bāzes stacijās
9. GaN izstrāde un aizstāšana ātrās uzlādes tirgū
10. GaN lāzeriekārtu tehnoloģija un pielietojums tirgū
11. Lokalizācijas un tehnoloģiju un iekārtu attīstības iespējas un izaicinājumi
12. Citas trešās paaudzes pusvadītāju attīstības perspektīvas
Ķīmiskā mehāniskā pulēšana(CMP) ir galvenais process, lai panāktu globālu vafeļu saplacināšanu.CMP process ietver silīcija plāksnīšu ražošanu, integrālo shēmu ražošanu, iepakošanu un testēšanu.Pulēšanas šķidrums un pulēšanas paliktnis ir CMP procesa galvenie palīgmateriāli, kas veido vairāk nekā 80% no CMP materiālu tirgus.CMP materiālu un aprīkojuma uzņēmumi, kurus pārstāv Dinglong Co., Ltd. un Huahai Qingke, ir saņēmuši lielu nozares uzmanību.
Mērķa materiāls ir galvenais izejmateriāls funkcionālo plēvju sagatavošanai, ko galvenokārt izmanto pusvadītājos, paneļos, fotoelementos un citās jomās, lai sasniegtu vadošas vai bloķējošas funkcijas.Starp galvenajiem pusvadītāju materiāliem mērķa materiāls ir visvairāk ražotais iekšzemē.Iekšzemes alumīnijs, varš, molibdēns un citi mērķa materiāli ir guvuši sasniegumus, galvenie biržas sarakstā iekļautie uzņēmumi ir Jiangfeng Electronics, Youyan New Materials, Ashitron, Longhua Technology un tā tālāk.
Nākamie trīs gadi būs Ķīnas pusvadītāju ražošanas nozares, SMIC, Huahong Hongli, Changjiang Storage, Changxin Storage, Silan Micro un citu uzņēmumu straujas attīstības periods, lai paātrinātu ražošanas paplašināšanos, Gekewei, Dingtai Craftsman, China Resources Micro un citus uzņēmumus. Ražošanā tiks nodots arī uzņēmumu 12 collu vafeļu ražošanas līniju izvietojums, kas radīs milzīgu pieprasījumu pēc CMP materiāliem un mērķa materiāliem.
Jaunajā situācijā arvien svarīgāka kļūst vietējās ražošanas piegādes ķēdes drošība, un ir obligāti jāattīsta stabili vietējie materiālu piegādātāji, kas arī radīs milzīgas iespējas vietējiem piegādātājiem.Veiksmīgā mērķa materiālu pieredze sniegs atsauci arī citu materiālu lokalizācijas izstrādei.
Semiconductor CMP Materials and Targets Symposium 2022 notiks Sudžou 29. decembrī. Konferenci rīkoja Asiacchem Consulting, kurā piedalījās daudzi vietējie un ārvalstu vadošie uzņēmumi.
Sanāksmes tēma
1. Ķīnas CMP materiāli un mērķa materiālu politika un tirgus tendences
2. ASV sankciju ietekme uz vietējo pusvadītāju materiālu piegādes ķēdi
3. CMP materiālu un mērķa tirgus un galvenā uzņēmuma analīze
4. Pusvadītāju CMP pulēšanas suspensija
5. CMP pulēšanas paliktnis ar tīrīšanas šķidrumu
6. CMP pulēšanas iekārtu gaita
7. Pusvadītāju mērķa tirgus piedāvājums un pieprasījums
8. Galveno pusvadītāju mērķa uzņēmumu tendences
9. Progress CMP un mērķa tehnoloģijā
10. Mērķa materiālu lokalizācijas pieredze un atsauce
Izlikšanas laiks: Jan-03-2023